
在现代电子设备中,双极性晶体管常用于电源管理、射频放大及工业控制等高负载场景。然而,其固有的功率损耗(主要来自集电极-发射极之间的电压降和电流)会转化为热量,因此必须重视热设计。
晶体管内部的功率损耗可表示为:P_loss = V_CE × I_C
其中,V_CE为集电极-发射极电压,I_C为集电极电流。当这两个参数同时较大时,发热量显著上升。
选用具有良好热传导性能的封装形式,例如:
- TO-220、TO-3金属壳封装,具有优异的散热能力;
- 表面贴装型(SMD)器件搭配散热焊盘(thermal pad),提高热传导路径。
建立低热阻的传热路径是关键:
设定合理的最大允许结温(通常为150℃~175℃),并留有安全裕量。可通过以下方式实现:
双极性晶体管的热管理绝非简单加个散热片即可解决。它需要从器件选型、电路设计、封装工艺到系统级散热的全链条协同优化。只有将热管理嵌入设计流程的每一个环节,才能真正发挥双极性晶体管的性能潜力。
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